MOSFET N-kanałowy 115 mA SOT-323 60 V SMD Pojedynczy 200 mW 13,5 oma
- Nr art. RS:
- 708-2399
- Nr części producenta:
- 2N7002W-7-F
- Producent:
- DiodesZetex
100 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
3300 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 50)
1,44 zł
(bez VAT)
1,78 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 50 - 550 | 1,44 zł | 72,15 zł |
| 600 - 1450 | 0,61 zł | 30,35 zł |
| 1500 + | 0,52 zł | 25,95 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 708-2399
- Nr części producenta:
- 2N7002W-7-F
- Producent:
- DiodesZetex
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MOSFET, od 40 V do 90 V, Diody Inc
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 115 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Typ opakowania | SOT-323 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 13,5 oma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 200 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Długość | 2.2mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 1.35mm |
| Wysokość | 1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 708-2399
- Nr części producenta:
- 2N7002W-7-F
- Producent:
- DiodesZetex