MOSFET N-kanałowy 24 A MLP 30 V SMD Pojedynczy 18 W 30 mΩ

Nr art. RS:: 759-9579
Nr części producenta:: FDMC8884
Producent:: Fairchild Semiconductor

MOSFET N-kanałowy 24 A MLP 30 V SMD Pojedynczy 18 W 30 mΩ

Zobacz kategorię

Produkt wycofany

Nr art. RS:: 759-9579
Nr części producenta:: FDMC8884
Producent:: Fairchild Semiconductor

Dane techniczne

FDMC8884, PowerTrench 30V N-Channel MOSFET

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: CN

Szczegółowe dane produktu

PowerTrench® N-Channel MOSFET, od 20A do 59.9A, Fairchild Semiconductor

.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	24 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Typ opakowania	MLP
Seria	PowerTrench
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło	30 mΩ
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS	1.4V
Maksymalna strata mocy	18 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	10 nC przy 10 V
Szerokość	3.3mm
Liczba elementów na układ	1
Materiał tranzystora	Si
Długość	3.3mm
Maksymalna temperatura robocza	+150 °C
Minimalna temperatura robocza	-55 °C
Wysokość	0.75mm

Nr art. RS:: 759-9579
Nr części producenta:: FDMC8884
Producent:: Fairchild Semiconductor

FDMC8884, PowerTrench 30V N-Channel MOSFET