Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-pinowy Pojedynczy
- Nr art. RS:
- 145-5553
- Nr części producenta:
- MMBFJ112
- Producent:
- onsemi
Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (3000 na rolce)
0,41 zł
(bez VAT)
0,50 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 3000 + | 0,41 zł | 1 227,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 145-5553
- Nr części producenta:
- MMBFJ112
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | min. 5mA |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -35 V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka | 35V |
| Konfiguracja | Pojedyncza |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 50 omów |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Liczba styków | 3 |
| Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia | 28pF |
| Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia | 28pF |
| Wymiary | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
| Wysokość | 0.93mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Szerokość | 1.3mm |
| Długość | 2.92mm |
- Nr art. RS:
- 145-5553
- Nr części producenta:
- MMBFJ112
- Producent:
- onsemi