Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-pinowy Pojedynczy
- Nr art. RS:
- 761-3684
- Nr części producenta:
- MMBFJ112
- Producent:
- onsemi
25 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
200 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 25)
1,28 zł
(bez VAT)
1,57 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 25 - 225 | 1,28 zł | 32,00 zł |
| 250 - 725 | 0,58 zł | 14,58 zł |
| 750 - 1475 | 0,51 zł | 12,65 zł |
| 1500 - 2975 | 0,43 zł | 10,70 zł |
| 3000 + | 0,39 zł | 9,68 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 761-3684
- Nr części producenta:
- MMBFJ112
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | min. 5mA |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -35 V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka | 35V |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Konfiguracja | Pojedyncza |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 50 omów |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Liczba styków | 3 |
| Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia | 28pF |
| Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia | 28pF |
| Wymiary | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
| Szerokość | 1.3mm |
| Wysokość | 0.93mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Długość | 2.92mm |
- Nr art. RS:
- 761-3684
- Nr części producenta:
- MMBFJ112
- Producent:
- onsemi