Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-pinowy Pojedynczy
- Nr art. RS:
- 761-3688
- Nr części producenta:
- MMBFJ201
- Producent:
- onsemi
175 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
400 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 25)
1,38 zł
(bez VAT)
1,70 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 25 - 75 | 1,38 zł | 34,60 zł |
| 100 - 975 | 0,80 zł | 20,03 zł |
| 1000 - 2975 | 0,55 zł | 13,68 zł |
| 3000 + | 0,48 zł | 12,03 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 761-3688
- Nr części producenta:
- MMBFJ201
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
Na ON Semiconductor MMBFJ201 N-kanałowy wzmacniacz przeznaczony do niskiego poziomu dźwięku i aplikacji ogólnego przeznaczenia.
Na MMBFJ201 jest produkowany w obudowie SOT-23 3-stykowej.
Na MMBFJ201 jest produkowany w obudowie SOT-23 3-stykowej.
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | 0.3 to 1.5mA |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -40 V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka | 40V |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Konfiguracja | Pojedyncza |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Liczba styków | 3 |
| Wymiary | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
| Szerokość | 1.3mm |
| Wysokość | 0.93mm |
| Długość | 2.92mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 761-3688
- Nr części producenta:
- MMBFJ201
- Producent:
- onsemi