- Nr art. RS:
- 773-7813
- Nr części producenta:
- MMBFJ310LT3G
- Producent:
- onsemi
340 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
90 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Cena netto za szt. (opak. á 10)
1,18 zł
(bez VAT)
1,45 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
10 + | 1,18 zł | 11,80 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 773-7813
- Nr części producenta:
- MMBFJ310LT3G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Nie dotyczy
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, ON Semiconductor
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | 24 to 60mA |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 25 V |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Konfiguracja | Pojedyncza |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Typ opakowania | SOT-23 |
Liczba styków | 3 |
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia | 5pF |
Wymiary | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
Długość | 3.04mm |
Wysokość | 1.01mm |
Szerokość | 1.4mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |