- Nr art. RS:
- 806-1750
- Nr części producenta:
- J109
- Producent:
- onsemi
125 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
1250 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 25)
1,82 zł
(bez VAT)
2,24 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
25 - 75 | 1,82 zł | 45,55 zł |
100 - 475 | 1,36 zł | 34,08 zł |
500 - 975 | 1,06 zł | 26,55 zł |
1000 - 2475 | 0,86 zł | 21,43 zł |
2500 + | 0,75 zł | 18,80 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 806-1750
- Nr części producenta:
- J109
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | min. 40mA |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V |
Maksymalne napięcie dren-bramka | 25V |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Konfiguracja | Pojedyncza |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 12 omów |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ opakowania | TO-92 |
Liczba styków | 3 |
Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia | 85pF |
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia | 85pF |
Wymiary | 4.58 x 3.86 x 4.58mm |
Szerokość | 3.86mm |
Wysokość | 4.58mm |
Długość | 4.58mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 806-1750
- Nr części producenta:
- J109
- Producent:
- onsemi