- Nr art. RS:
- 806-1766
- Nr części producenta:
- J113
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 07.05.2024, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Cena netto za szt. (opak. á 50)
1,76 zł
(bez VAT)
2,17 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
50 - 200 | 1,76 zł | 88,05 zł |
250 - 450 | 1,05 zł | 52,45 zł |
500 - 2450 | 1,02 zł | 51,10 zł |
2500 - 4950 | 1,00 zł | 49,80 zł |
5000 + | 0,97 zł | 48,50 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 806-1766
- Nr części producenta:
- J113
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | min. 2mA |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -35 V |
Maksymalne napięcie dren-bramka | 35V |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Konfiguracja | Pojedyncza |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 100 omów |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ opakowania | TO-92 |
Liczba styków | 3 |
Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia | 28pF |
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia | 28pF |
Wymiary | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Szerokość | 4.19mm |
Wysokość | 5.33mm |
Długość | 5.2mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |