MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220F 660 V Pojedynczy 49 W 550 miliomów
- Nr art. RS:
- 170-3020
- Nr części producenta:
- MDF11N60BTH
- Producent:
- MagnaChip
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 170-3020
- Nr części producenta:
- MDF11N60BTH
- Producent:
- MagnaChip
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o wysokim napięciu (HV)
Tranzystor MOSFET o wysokim napięciu, z niskim stopniem rezystancji i wysoką wydajnością przełączania.
.
Tranzystory MOSFET, MagnaChip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 11 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 660 V |
| Typ opakowania | TO-220F |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 550 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
| Maksymalna strata mocy | 49 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Długość | 10.71mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.93mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 38,4 nC przy 10 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.4V |
| Wysokość | 16.13mm |
- Nr art. RS:
- 170-3020
- Nr części producenta:
- MDF11N60BTH
- Producent:
- MagnaChip