MOSFET N-kanałowy 115 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 200 mW 7,5 oma

Nr art. RS:: 671-0312
Nr części producenta:: 2N7002
Producent:: onsemi

MOSFET N-kanałowy 115 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 200 mW 7,5 oma

640 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

2240 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Dodano do koszyka

Zobacz koszyk

Cena netto za szt. (opak. á 20)

1,44 zł

(bez VAT)

1,77 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
20 - 180	1,44 zł	28,80 zł
200 - 380	0,59 zł	11,88 zł
400 - 780	0,57 zł	11,30 zł
800 - 980	0,53 zł	10,58 zł
1000 +	0,43 zł	8,52 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 671-0312
Nr części producenta:: 2N7002
Producent:: onsemi

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: CN

Szczegółowe dane produktu

Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, o dużej gęstości komórek. Ten proces o dużej gęstości został zaprojektowany tak, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu, zapewnić solidną i niezawodną wydajność oraz szybkie przełączanie.

.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	115 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło	60 V
Typ opakowania	SOT-23
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	7,5 oma
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	200 mW
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Materiał tranzystora	Si
Szerokość	1.3mm
Długość	2.92mm
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Liczba elementów na układ	1
Wysokość	0.93mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

Nr art. RS:: 671-0312
Nr części producenta:: 2N7002
Producent:: onsemi