MOSFET N-kanałowy 2 A SOT-223 70 V SMD Pojedynczy 3 W 250 miliomów
- Nr art. RS:
- 738-5204
- Nr części producenta:
- ZXMS6005DGTA
- Producent:
- DiodesZetex
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 738-5204
- Nr części producenta:
- ZXMS6005DGTA
- Producent:
- DiodesZetex
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- DE
Szczegółowe dane produktu
Zabezpieczone samorzutnie tranzystory MOSFET IntelliFET, Diodes Inc
IntelliFET to zabezpieczone przed autotestem tranzystory MOSFET, które łączą w sobie pełną gamę obwodów zabezpieczających przed ESD (ang. Electrostatic Sensitive Device), nadmiernym prądem, zbyt wysokim napięciem i zbyt wysoką temperaturą.
Zabezpieczenie przed zwarciem z funkcją automatycznego ponownego uruchamiania
Zabezpieczenie przed przepięciem (aktywny zacisk)
Zabezpieczenie przed nadmiernym prądem
Ochrona wejścia (ESD)
Wysoki prąd ciągły
Zabezpieczenie przed rozładowaniem ładunku
Wejście poziomu logicznego
Zabezpieczenie przed przepięciem (aktywny zacisk)
Zabezpieczenie przed nadmiernym prądem
Ochrona wejścia (ESD)
Wysoki prąd ciągły
Zabezpieczenie przed rozładowaniem ładunku
Wejście poziomu logicznego
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 2 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 70 V |
| Seria | IntelliFET |
| Typ opakowania | SOT-223 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 250 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1.5V |
| Maksymalna strata mocy | 3 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 3.55mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 6.55mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +125°C |
| Wysokość | 1.65mm |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |
- Nr art. RS:
- 738-5204
- Nr części producenta:
- ZXMS6005DGTA
- Producent:
- DiodesZetex