MOSFET P-kanałowy 4,2 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 1.4 W 113 miliomów
- Nr art. RS:
- 751-4256
- Nr części producenta:
- DMP2305U-7
- Producent:
- DiodesZetex
200 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
700 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 100)
0,81 zł
(bez VAT)
1,00 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 100 - 500 | 0,81 zł | 81,20 zł |
| 600 - 1400 | 0,77 zł | 77,20 zł |
| 1500 + | 0,63 zł | 63,10 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 751-4256
- Nr części producenta:
- DMP2305U-7
- Producent:
- DiodesZetex
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
P-Channel MOSFET, 12 V do 25 V, Diody Inc
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 4,2 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 20 V |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 113 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 0.9V |
| Maksymalna strata mocy | 1.4 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -8 V, +8 V |
| Długość | 3mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 7,6 nC przy 4,5 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 1.4mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 1.1mm |
- Nr art. RS:
- 751-4256
- Nr części producenta:
- DMP2305U-7
- Producent:
- DiodesZetex