Infineon

Elementy dyskretne

Wyświetlono 1 - 20 z 4229 produktów
Porównaj wybrane produkty 0/8
Wyświetl jako:
Cena
(netto / bez podatku VAT)
Opis
Informacje o produkcie
  • 8,53 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy IRLB3034PBF 40 V 343 A 3-Pin TO-220AB HEXFET Pojedynczy Si
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu343 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło40 V
  • Typ opakowaniaTO-220AB
  • Typ montażuOtwór przezierny
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 10,19 zł
    za szt. (opak. á 2)
MOSFET N-kanałowy IRLB3034PBF 40 V 343 A 3-Pin TO-220AB HEXFET Pojedynczy Si
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu343 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło40 V
  • Typ opakowaniaTO-220AB
  • Typ montażuOtwór przezierny
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 412,49 zł
    za szt. (w opak. á 10)
Moduł IGBT FP40R12KE3GBOSA1, Ic 55 A, Uce 1200 V, 1MHz, 35-pinowy, kanał typu:N, Econo3 3-fazy
  • Konfiguracja tranzystora3-fazy
  • KonfiguracjaMostek 3 fazowy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora55 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
Podobne produkty w kategorii Moduły IGBT
  • 453,72 złza szt.
Moduł IGBT FP40R12KE3GBOSA1, Ic 55 A, Uce 1200 V, 1MHz, 35-pinowy, kanał typu:N, -40 → +125°C, ECONO3 3-fazy
  • Konfiguracja tranzystora3-fazy
  • KonfiguracjaMostek 3 fazowy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora55 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
Podobne produkty w kategorii Moduły IGBT
  • 21,97 zł
    za szt. (w tubie á 25)
IGBT IRGP4068DPBF, Ic 96 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247AC, kanał typu N, Infineon Pojedynczy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora96 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±30V
  • Maksymalna strata mocy330 W
  • Typ opakowaniaTO-247AC
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 25,49 złza szt.
IGBT IRGP4068DPBF, Ic 96 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247AC, kanał typu N, Infineon Pojedynczy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora96 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±30V
  • Maksymalna strata mocy330 W
  • Typ opakowaniaTO-247AC
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 17,47 zł
    za szt. (w tubie á 30)
IGBT IKW40N60H3FKSA1, Ic 80 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora80 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy306 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 20,54 zł
    za szt. (opak. á 2)
IGBT IKW40N60H3FKSA1, Ic 80 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora80 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy306 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 503,90 zł
    szt. (na tacce 10)
Moduł IGBT FF300R12KE3HOSA1, Ic 440 A, Uce 1200 V, kanał typu:N, AG-62MM-1 Szereg
  • Konfiguracja tranzystoraSzereg
  • KonfiguracjaSeria
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora440 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
Podobne produkty w kategorii Moduły IGBT
  • 554,29 złza szt.
Moduł IGBT FF300R12KE3HOSA1, Ic 440 A, Uce 1200 V, kanał typu:N, AG-62MM-1 Szereg
  • KonfiguracjaSeria
  • Konfiguracja tranzystoraSzereg
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora440 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
Podobne produkty w kategorii Moduły IGBT
  • 22,29 złza szt.
IGBT IHW30N160R2FKSA1, Ic 60 A, Uce 1600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora60 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy312 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 18,95 zł
    za szt. (w tubie á 30)
IGBT IHW30N160R2FKSA1, Ic 60 A, Uce 1600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora60 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy312 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 14,26 zł
    za szt. (w tubie á 30)
IGBT IKW30N60H3FKSA1, Ic 60 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora60 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy187 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 16,81 zł
    za szt. (opak. á 4)
IGBT IKW30N60H3FKSA1, Ic 60 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora60 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy187 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 14,66 zł
    za szt. (w tubie á 30)
IGBT IKW40N65H5FKSA1, Ic 74 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora74 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter650 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy250 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 2,66 zł
    za szt. (opak. á 10)
MOSFET N-kanałowy IPP80N03S4L03AKSA1 30 V 80 A 3-Pin TO-220 OptiMOS T2 Pojedynczy Si
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu80 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • Typ opakowaniaTO-220
  • Typ montażuOtwór przezierny
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 16,43 zł
    za szt. (opak. á 4)
IGBT IKW40N65H5FKSA1, Ic 74 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora74 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter650 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy250 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 2,71 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy IPP80N03S4L03AKSA1 30 V 80 A 3-Pin TO-220 OptiMOS T2 Pojedynczy Si
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu80 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • Typ opakowaniaTO-220
  • Typ montażuOtwór przezierny
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 8,86 zł
    za szt. (opak. á 5)
MOSFET P-kanałowy IPP80P03P4L04AKSA1 30 V 80 A 3-Pin TO-220 OptiMOS P Pojedynczy Si
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu80 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • Typ opakowaniaTO-220
  • Typ montażuOtwór przezierny
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,76 zł
    za szt. (1000 na rolce)
Tranzystor NPN 15 V 75 mA 1,5 GHz HFE 70 SOT-89 BFQ19SH6327XTSA1 3-Pin
  • Typ tranzystoraNPN
  • Maksymalny prąd DC kolektora75 mA
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter15 V
  • Typ opakowaniaSOT-89
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory BJT i bipolarne
Ostatnio wyszukiwane
FAQ
W czym możemy pomóc?
Kontakt z Działem Obsługi Klienta:
22 223 11 11