Elementy dyskretne
KATEGORIE
Elementy dyskretne
(5)
Diody TVS
(1)
Diody Zenera
(2)
Tranzystory IGBT
(21)
Tranzystory MOSFET
(14)
Triaki
(3)
Tyrystory
Cena (netto / bez podatku VAT) | Opis | Informacje o produkcie |
IGBT Ic 35 A Uce 600 V TO-220FL Pojedynczy kanał: N 40 W
|
|
|
Tranzystor Darlingtona NPN 80 V Otwór przezierny SOT-32 Pojedynczy
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 25 A TO-3P 500 V Pojedynczy 150 W 240 mΩ
|
|
|
|
Triak Otwór przezierny Prąd w stanie wyłączenia: 8A TO-220F Prąd wyzwalania bramki: 30mA Renesas Electronics
|
|
|
Triak Otwór przezierny Prąd w stanie wyłączenia: 3A TO-220F Prąd wyzwalania bramki: 20mA Renesas Electronics
|
|
Dioda ochronna ESD Montaż powierzchniowy Super MiniMold NNCD11D-A
|
|
|
Dioda Zenera 12V Montaż powierzchniowy Super MiniMold 200 mW Pojedyncza
|
|
|
Dioda ochronna ESD Montaż powierzchniowy Super MiniMold NNCD8.2D-A
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 82 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD Pojedynczy 1.8 W 5 miliomów
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 25 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD 0.014 Ω
|
|
|
|
Triak Otwór przezierny Prąd w stanie wyłączenia: 1A TO-92 600V Prąd wyzwalania bramki: 7mA Renesas Electronics
|
|
Tranzystor NPN SOIC 8 V Montaż powierzchniowy 65 mA HFA3127BZ
|
|
|
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 7 A SC-65 1500 V 12 omów
|
|
|
|
MOSFET P-kanałowy 15 A TO-252 60 V SMD Pojedynczy 30 W 95 mΩ
|
|
|
Triak Otwór przezierny Prąd w stanie wyłączenia: 16A TO-220FL Prąd wyzwalania bramki: 30mA Renesas Electronics
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 8 A QFN 12 V SMD
|
|
MOSFET N-kanałowy 40 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD 0.0056 Ω
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A WPAK 30 V SMD 0.0029 Ω
|
|
|
Triak Montaż powierzchniowy Prąd w stanie wyłączenia: 5A MP 3A 600V Prąd wyzwalania bramki: 30mA Renesas Electronics
|
|
|
Dioda ochronna ESD Montaż powierzchniowy Super MiniMold NNCD3.3D-A
|
|
Ostatnio wyszukiwane