Tranzystory MOSFET

Tranzystory MOSFET, które swoją nazwę biorą z języka angielskiego – „Metal Oxide Semiconductor Field-effect Transitors”. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi kondensatorem. „Field-Effect” oznacza, że są one sterowane napięciem. Celem tranzystora MOSFET jest sterowanie przepływem prądu przepływającego od źródła do zacisków odpływowych. W sposobie działania jest on bardzo podobny do przełącznika i służy do przełączania lub wzmacniania sygnałów elektronicznych.

Te urządzenia półprzewodnikowe są układami scalonymi, które są zamontowane na płytkach drukowanych. Tranzystory MOSFET są dostępne w wielu standardowych pakietach, takich jak DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 i TO-220. Aby uzyskać więcej informacji na temat tranzystorów MOSFET, zapoznaj się z naszym Kompletnym przewodnikiem po tranzystorach MOSFET.

Czym są tryby zubożenia i wzbogacenia?

Tranzystory MOSFET posiadają dwa tryby: zubożenia i wzbogacenia. W trybie zubożenia działają one jak zamknięty pwyłącznik. Prąd przepływa przez nie, gdy nie występuje zasilanie prądem. Przepływ prądu zostanie zatrzymany, jeśli zostanie zastosowane napięcie ujemne.W trybie wzbogacenia tranzystory MOSFET są podobne do rezystora zmiennego i zazwyczaj są one bardziej powszechne niż tranzystory MOSFET w trybie zubożenia. Są one dostępne w wariantach n-kanałowych lub p-kanałowych.

Jak działają tranzystory MOSFET?

Piny w pakiecie MOSFET to Źródło, Bramka i Dren. Gdy pomiędzy Bramką a terminalami Źródła zostanie doprowadzone napięcie, prąd może przepływać od Drenu do Źródła. Gdy napięcie doprowadzane do Bramki zmienia się, zmieni się również rezystancja między Drenem a Źródłem. Im niższe napięcie jest zastosowane, tym wyższa wartość rezystancji. Wraz ze wzrostem napięcia zmniejszy się opór od Drenu do Źródła.Tranzystory mocy MOSFET są podobne do standardowych tranzystorów MOSFET, jednak zostały zaprojektowane tak, aby obsłużyć wyższy poziom mocy.

N-kanałowe a P-kanałowe tranzystory MOSFET

TranzystoryMOSFET są wykonane z krzemu i występują w wersji N-kanałowej i P-kanałowej.

  • N-kanałowe tranzystory MOSFET posiadają dodatkowe elektrony, które mogą dowolnie się poruszać. Są one bardziej powszechnym typem kanału. Tranzystory N-kanałowe MOSFET działają, gdy do terminala bramki jest dostarczany ładunek dodatni.

  • P-Kanałowe tranzystory MOSFETS –ich podłoże zawiera elektrony i dziury elektronowe. Tranzystory P-kanałowe MOSFET są podłączone do dodatniego napięcia. Tranzystory MOSFET tego typu włączają się, gdy napięcie dostarczane do terminala Bramki jest niższe od napięcia Źródła.

Gdzie wykorzystywane są tranzystory MOSFET?

Tranzystory MOSFET znajdują wiele zastosowań, np. w mikroprocesorach i innych elementach pamięci. Tranzystory MOSFET są najczęściej używane jako przełączniki sterowane napięciem w obwodach.

Szukasz Sterowników MOSFET?


...
Zobacz więcej Zobacz mniej

Filtry

Wyświetlono 1 - 20 z 10701 produktów
Ilość wyświetleń
Opis Cena Typ kanału Maksymalny ciągły prąd drenu Maksymalne napięcie dren-źródło Maksymalna rezystancja dren-źródło Typ opakowania Maksymalne napięcie progowe VGS Typ montażu Liczba styków Minimalne napięcie progowe VGS Maksymalne napięcie bramka-źródło Tryb kanałowy Maksymalna strata mocy Konfiguracja tranzystora Liczba elementów na układ
Nr art. RS 688-7204
Nr części producentaIRLB3034PBF
ProducentInfineon
9,66 zł
za szt. (opak. á 2)
Sztuki
N 343 A 40 V 2 miliomy TO-220AB 2.5V Otwór przezierny 3 1V -20 V, +20 V Rozszerzenie 375 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 124-9024
Nr części producentaIRLB3034PBF
ProducentInfineon
8,19 zł
za szt. (w tubie á 50)
Sztuki
N 343 A 40 V 2 miliomy TO-220AB 2.5V Otwór przezierny 3 1V -20 V, +20 V Rozszerzenie 375 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 671-5023
Nr części producentaFQP13N10
ProducentON Semiconductor
3,68 zł
za szt. (opak. á 5)
Sztuki
N 12.8 A 100 V 180 miliomów TO-220AB - Otwór przezierny 3 2V -25 V, +25 V Rozszerzenie 65 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 145-5363
Nr części producentaFQP13N10
ProducentON Semiconductor
3,11 zł
za szt. (w tubie á 50)
Sztuki
N 12,8 A 100 V 180 mΩ TO-220AB - Otwór przezierny 3 2V -25 V, +25 V Rozszerzenie 65 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 145-3428
Nr części producentaNDFPD1N150CG
ProducentON Semiconductor
5,57 zł
za szt. (w tubie á 50)
Sztuki
N 200 mA 1500 V 150 omów TO-220F 4V Otwór przezierny 3 - -30 V, +30 V Rozszerzenie 20 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 801-6794
Nr części producentaNDFPD1N150CG
ProducentON Semiconductor
6,51 zł
za szt. (opak. á 2)
Sztuki
N 200 mA 1500 V 150 omów TO-220F 4V Otwór przezierny 3 - -30 V, +30 V Rozszerzenie 20 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 145-5462
Nr części producentaHUF75344P3
ProducentON Semiconductor
8,67 zł
za szt. (w tubie á 50)
Sztuki
N 75 A 55 V 8 mΩ TO-220AB - Otwór przezierny 3 2V -20 V, +20 V Rozszerzenie 285 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 807-6689
Nr części producentaHUF75344P3
ProducentON Semiconductor
10,20 zł
za szt. (opak. á 5)
Sztuki
N 75 A 55 V 8 miliomów TO-220AB - Otwór przezierny 3 2V -20 V, +20 V Rozszerzenie 285 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 671-0312
Nr części producenta2N7002
ProducentON Semiconductor
0,84 zł
za szt. (opak. á 20)
Sztuki
N 115 mA 60 V 7,5 oma SOT-23 - Montaż powierzchniowy 3 1V -20 V, +20 V Rozszerzenie 200 mW Pojedynczy 1
Nr art. RS 124-1711
Nr części producentaFDS6681Z
ProducentON Semiconductor
2,76 zł
za szt. (2500 na rolce)
Sztuki
P 20 A 30 V 5 mΩ SOIC - Montaż powierzchniowy 8 1V -25 V, +25 V Rozszerzenie 2,5 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 145-4308
Nr części producentaFQP4N90C
ProducentON Semiconductor
4,79 zł
za szt. (w tubie á 50)
Sztuki
N 4 A 900 V 4,2 oma TO-220 - Otwór przezierny 3 3V -30 V, +30 V Rozszerzenie 140 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 671-5130
Nr części producentaFQP4N90C
ProducentON Semiconductor
5,97 zł
za szt. (opak. á 5)
Sztuki
N 4 A 900 V 4,2 oma TO-220 - Otwór przezierny 3 3V -30 V, +30 V Rozszerzenie 140 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 671-0618
Nr części producentaFDS6681Z
ProducentON Semiconductor
5,67 zł
za szt. (opak. á 5)
Sztuki
P 20 A 30 V 5 miliomów SOIC - Montaż powierzchniowy 8 1V -25 V, +25 V Rozszerzenie 2.5 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 124-1430
Nr części producentaFDC86244
ProducentON Semiconductor
1,36 zł
za szt. (3000 na rolce)
Sztuki
N 2,3 A 150 V 273 mΩ SOT-23 - Montaż powierzchniowy 6 2V -20 V, +20 V Rozszerzenie 1,6 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 864-8026
Nr części producentaFDC86244
ProducentON Semiconductor
2,76 zł
za szt. (opak. á 10)
Sztuki
N 2,3 A 150 V 273 mΩ SOT-23 - Montaż powierzchniowy 6 2V -20 V, +20 V Rozszerzenie 1,6 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 178-5338
Nr części producentaLND01K1-G
ProducentMicrochip
0,98 zł
za szt. (3000 na rolce)
Sztuki
N 330 mA 9 V 1,4 oma SOT-23 - Montaż powierzchniowy 5 - -12 V, +0,6 V Wyczerpanie 360 mW Pojedynczy 1
Nr art. RS 912-5259
Nr części producentaLND01K1-G
ProducentMicrochip
0,99 zł
za szt. (opak. á 25)
Sztuki
N 330 mA 9 V 1,4 oma SOT-23 - Montaż powierzchniowy 5 - -12 V, +0,6 V Wyczerpanie 360 mW Pojedynczy 1
Nr art. RS 145-4400
Nr części producentaFDA69N25
ProducentON Semiconductor
11,68 zł
za szt. (w tubie á 30)
Sztuki
N 69 A 250 V 41 miliomów TO-3PN - Otwór przezierny 3 3V -30 V, +30 V Rozszerzenie 480 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 809-0792
Nr części producentaFDA69N25
ProducentON Semiconductor
13,63 zł
za szt.
Sztuki
N 69 A 250 V 41 miliomów TO-3PN - Otwór przezierny 3 3V -30 V, +30 V Rozszerzenie 480 W Pojedynczy 1
Nr art. RS 760-3132
Nr części producenta2SK3074(TE12L,F)
ProducentToshiba
10,48 zł
za szt.
Sztuki
N 1 A 30 V - PW Mini 2.4V Montaż powierzchniowy 3 - +25 V Rozszerzenie 3 W Pojedynczy 1