Tranzystory MOSFET

Tranzystory MOSFET (ang. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, zwane także tranzystorami polowymi z izolowaną bramką) to elementy dyskretne sterowane napięciem. W praktyce pracują jak szybki przełącznik lub element wzmacniający: napięcie na bramce kontroluje przepływ prądu między drenem a źródłem. Dzięki temu MOSFET-y są podstawą wielu układów elektroniki mocy – od prostych przełączników obciążenia po zasilacze impulsowe i przetwornice.

W projektach liczy się nie tylko „czy zadziała”, ale też sprawność, straty i odprowadzanie ciepła. Dobrze dobrany MOSFET potrafi ograniczyć nagrzewanie układu i poprawić wydajność, a w wersjach mocy ułatwia pracę z większymi prądami. W zależności od aplikacji możesz wybierać warianty do montażu powierzchniowego (SMD) oraz przewlekanego, w popularnych obudowach do PCB i radiatorów.

Co to jest MOSFET i jak wygląda sterowanie MOSFET?

Jeśli zastanawiasz się, co to jest MOSFET, najprościej opisać go jako tranzystor „włączany” polem elektrycznym. Bramkę oddziela warstwa izolatora, więc do sterowania wykorzystuje się głównie napięcie (w odróżnieniu od tranzystorów bipolarnych, gdzie istotny jest prąd bazy). Sterowanie MOSFET polega na przyłożeniu odpowiedniego napięcia VGS oraz dobraniu sposobu pracy: po stronie niskiej (low-side) lub wysokiej (high-side). W praktyce znaczenie mają m.in. napięcie progowe VGS(th) – definiujące początek przewodzenia przy małym prądzie – oraz dopuszczalne VGS; do pełnego załączenia, szczególnie w wariantach logic-level, potrzebne jest zwykle znacznie wyższe napięcie. Bramkę można traktować jak kondensator, dlatego ładunek bramki (Qg) i pojemności wejściowe wpływają na straty przełączania oraz wymagania wobec sterownika – im większe Qg, tym większy prąd bramkowy lub dłuższy czas przełączania jest potrzebny. W wielu zastosowaniach przydaje się też świadomość działania wbudowanej diody (body diode), istotnej m.in. przy przepływie prądu wstecznego.

Rodzaje tranzystorów MOSFET

  • N-kanałowe i P-kanałowe – dobierane zależnie od topologii układu i sposobu sterowania.
  • Typ wzmocnieniowy (enhancement) i zubożeniowy (depletion) – różnią się stanem przewodzenia bez sterowania.
  • Pojedyncze i podwójne (dual) – ułatwiają projektowanie, gdy liczy się oszczędność miejsca na PCB.
  • MOSFET-y sygnałowe oraz MOSFET-y mocy – dopasowane do różnych poziomów prądu, napięcia i wymagań termicznych.

Zastosowania tranzystorów MOSFET

Tranzystory MOSFET znajdziesz w przetwornicach i zasilaczach impulsowych (SMPS), synchronizacji prostowania, sterowaniu silnikami i obciążeniami (przekaźniki, zawory, grzałki), w układach bateryjnych i automotive (przełączanie oraz zabezpieczenia zasilania), a także w sterownikach LED i aplikacjach wymagających szybkiego przełączania.

Na co zwrócić uwagę przy wyborze?

Dobór MOSFET warto oprzeć na parametrach, które bezpośrednio wpływają na bezpieczeństwo i sprawność:

  • VDS (napięcie dren–źródło) z odpowiednim zapasem względem aplikacji,
  • ID (ciągły prąd drenu) oraz dopuszczalne straty mocy i warunki chłodzenia,
  • RDS(on) – kluczowy dla nagrzewania i sprawności przy dużych prądach,
  • wymagane napięcie sterujące (np. warianty logic-level) i dopasowanie do sterownika,
  • Qg i częstotliwość przełączania (straty dynamiczne, EMI),
  • obudowa i termika: sposób montażu i odprowadzanie ciepła (np. TO-220, DPAK/TO-252, SOT-23) oraz parametry termiczne (Rθ).

Tranzystory MOSFET w ofercie RS

W RS znajdziesz szeroki wybór tranzystorów MOSFET do prototypów i produkcji, w wielu wariantach kanału, napięć, prądów oraz obudów. Parametryczne filtry ułatwiają szybkie porównanie modeli pod kątem kluczowych cech (np. typ kanału, VDS/ID, RDS(on) czy typ montażu). Oferta obejmuje produkty uznanych producentów półprzewodników, m.in. Vishay, Infineon, onsemi i STMicroelectronics.

Dobierając MOSFET do projektu, często warto od razu sięgnąć po powiązane elementy: sterowniki bramki do szybkiego i powtarzalnego przełączania, diody Schottky'ego i prostownicze do torów zasilania oraz alternatywne technologie przełączania, takie jak tranzystory IGBT lub tranzystory bipolarne. Sprawdź dostępne modele i wybierz rozwiązanie dopasowane do Twojej aplikacji.

18744 Produkty wyświetlane dla Tranzystory MOSFET

Suma częściowa 20 sztuk/i (dostarczane w postaci ciągłej taśmy)
24,22 zł(bez VAT)
1,211 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)
22,14 zł(bez VAT)
11,07 zł/sztuka
Suma częściowa 50 sztuk/i (dostarczane w postaci ciągłej taśmy)
138,25 zł(bez VAT)
2,765 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 10 sztuk/i)
21,96 zł(bez VAT)
2,196 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)
40,19 zł(bez VAT)
20,095 zł/sztuka
Suma częściowa (1 sztuka)
55,94 zł(bez VAT)
55,94 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 25 sztuk/i)
40,825 zł(bez VAT)
1,633 zł/sztuka
Suma częściowa 10 sztuk/i (dostarczane w postaci ciągłej taśmy)
22,32 zł(bez VAT)
2,232 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 20 sztuk/i)
47,52 zł(bez VAT)
2,376 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)
23,85 zł(bez VAT)
4,77 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 20 sztuk/i)
79,48 zł(bez VAT)
3,974 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)
14,67 zł(bez VAT)
7,335 zł/sztuka
Tymczasowo niedostępny
Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)
28,49 zł(bez VAT)
14,245 zł/sztuka
Suma częściowa (1 sztuka)
11,70 zł(bez VAT)
11,70 zł/sztuka
Ostatni magazyn RS
Suma częściowa 25 sztuk/i (dostarczane w postaci ciągłej taśmy)
8,175 zł(bez VAT)
0,327 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 4 sztuk/i)
24,44 zł(bez VAT)
6,11 zł/sztuka
Suma częściowa (1 sztuka)
138,45 zł(bez VAT)
138,45 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 100 sztuk/i)
57,50 zł(bez VAT)
0,575 zł/sztuka
Suma częściowa 100 sztuk/i (dostarczane w postaci ciągłej taśmy)
25,50 zł(bez VAT)
0,255 zł/sztuka
Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)
36,45 zł(bez VAT)
7,29 zł/sztuka
Liczba wyników na stronę

Dowiedz się jako pierwszy o naszych najnowszych produktach i usługach

Adres e-mail

Dane osobowe przekazane nam podczas zapisywania się na listę mailingową będą przetwarzane zgodnie z naszą polityką prywatności.