- Nr art. RS:
- 111-6092
- Nr części producenta:
- FF300R12KE3HOSA1
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 09.04.2026, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
726,53 zł
(bez VAT)
893,63 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit |
1 - 1 | 726,53 zł |
2 - 4 | 690,21 zł |
5 + | 661,10 zł |
- Nr art. RS:
- 111-6092
- Nr części producenta:
- FF300R12KE3HOSA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Moduły IGBT, Infineon
Oferta modułów Infineon firmy IGBT zapewnia niską utratę przełączania przy przełączaniu do 60 kHz.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.
W skład zestawu wchodzą: Moduły 62 mm, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 440 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 1450 W |
Konfiguracja | Seria |
Typ opakowania | AG-62MM-1 |
Typ montażu | Montaż na panelu |
Typ kanału | N |
Konfiguracja tranzystora | Szereg |
Wymiary | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
Maksymalna temperatura robocza | +125°C |
Minimalna temperatura robocza | -40°C |
- Nr art. RS:
- 111-6092
- Nr części producenta:
- FF300R12KE3HOSA1
- Producent:
- Infineon