- Nr art. RS:
- 124-9040
- Nr części producenta:
- FP40R12KE3BOSA1
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 28.10.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Cena netto za szt. (w opak. á 10)
462,44 zł
(bez VAT)
568,80 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Box* |
10 - 10 | 462,44 zł | 4 624,38 zł |
20 + | 439,32 zł | 4 393,18 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 124-9040
- Nr części producenta:
- FP40R12KE3BOSA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Moduły IGBT, Infineon
Oferta modułów Infineon firmy IGBT zapewnia niską utratę przełączania przy przełączaniu do 60 kHz.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.
W skład zestawu wchodzą: Moduły 62 mm, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 55 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 210 W |
Typ opakowania | EconoPIM2 |
Konfiguracja | Mostek 3 fazowy |
Typ montażu | Montaż na płytce drukowanej |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 24 |
Konfiguracja tranzystora | 3-fazy |
Wymiary | 107.5 x 45 x 17mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Minimalna temperatura robocza | -40°C |