Moduł IGBT Uce 1200 V Q0BOOST Dwa kanał: N 186 W

NXH100B120H3Q0 to moduł zasilający z podwójnym etapem podniesienia napięcia zawierający dwa układy IGBT 50A/1200 V, dwie diody SIC 20A/1200 V i dwie diody zapobiegające połączeniu równoległemu 25 A/1600 V dla IGBT. Dwa dodatkowe prostowniki obejściowe 25 A/1600 V do ograniczenia prądu rozruchowego w zestawie. Termistor wbudowany w zestawie.

Specyfikacje IGBT: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ
Szybki IGBT o niskiej wartości VCE(SAT) i wysokiej sprawności
Diody obejściowe i zapobiegające połączeniu równoległemu 25 A / 1600 V
Diody obejściowe o niskiej wartości VF zapewniają doskonałą sprawność w trybie obejścia
Specyfikacja prostownika SiC: VF = 1,44 V
Dioda SiC do szybkiego przełączania
Dostępne są styki lutowane i wciskowe
• Elastyczne opcje montażu
Zastosowania
Etap doładowania MPPT
Etap Ładowania Ładowarki Akumulatorów