Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V P 610 3-fazy kanał: N 500 W
- Nr art. RS:
- 716-5612
- Nr części producenta:
- 7MBP75RA-120-55
- Producent:
- Fuji Electric
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 716-5612
- Nr części producenta:
- 7MBP75RA-120-55
- Producent:
- Fuji Electric
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Rozbieżności IGBT Fuji Electric
.
Moduły i dyskrecje IGBT, Fuji Electric
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 75 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalna strata mocy | 500 W |
| Konfiguracja | 3-fazowe |
| Typ opakowania | P 610 |
| Typ montażu | Montaż na płytce drukowanej |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 22 |
| Konfiguracja tranzystora | 3-fazy |
| Wymiary | 109 x 88 x 22mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +100 °C |
| Minimalna temperatura robocza | -20 °C |
- Nr art. RS:
- 716-5612
- Nr części producenta:
- 7MBP75RA-120-55
- Producent:
- Fuji Electric