Moduł IGBT Ic 50 A Uce 1200 V M711 3-fazy kanał: N 205 W
- Nr art. RS:
- 716-5668
- Nr części producenta:
- 7MBR50UA-120-50
- Producent:
- Fuji Electric
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 716-5668
- Nr części producenta:
- 7MBR50UA-120-50
- Producent:
- Fuji Electric
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Rozbieżności IGBT Fuji Electric
.
Moduły i dyskrecje IGBT, Fuji Electric
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 50 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 205 W |
| Typ opakowania | M711 |
| Konfiguracja | Mostek 3 fazowy |
| Typ montażu | Montaż na płytce drukowanej |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 24 |
| Konfiguracja tranzystora | 3-fazy |
| Wymiary | 107.5 x 45 x 17mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
- Nr art. RS:
- 716-5668
- Nr części producenta:
- 7MBR50UA-120-50
- Producent:
- Fuji Electric