Moduł IGBT Ic 200 A Uce 1200 V M259 Pojedynczy kanał: N 1040 W
- Nr art. RS:
- 747-1119
- Nr części producenta:
- 1MBi200U4H-120L-50
- Producent:
- Fuji Electric
Produkt wycofany
Produkt alternatywny
Ten produkt jest aktualnie niedostępny. Zapoznaj się z poniższym produktem alternatywnym.
- Nr art. RS:
- 747-1119
- Nr części producenta:
- 1MBi200U4H-120L-50
- Producent:
- Fuji Electric
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
Moduły IGBT 1 Pack Fuji Electric
Seria V, 6. Generacja, zatrzymanie awaryjne
Seria U/U4, 5. Generacja zatrzymania awaryjnego
Seria HH, Planar-NPT, szybki wybierak IGBT
Seria U/U4, 5. Generacja zatrzymania awaryjnego
Seria HH, Planar-NPT, szybki wybierak IGBT
.
Moduły i dyskrecje IGBT, Fuji Electric
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 200 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 1040 W |
| Typ opakowania | M259 |
| Konfiguracja | Pojedyncza |
| Typ montażu | Montaż na panelu |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 7 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 108 x 62 x 30mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
- Nr art. RS:
- 747-1119
- Nr części producenta:
- 1MBi200U4H-120L-50
- Producent:
- Fuji Electric