Moduł IGBT Ic 54 A Uce 1200 V EASY2B 3-fazy kanał: N 215 W
- Nr art. RS:
- 838-6992
- Nr części producenta:
- FP35R12W2T4B11BOMA1
- Producent:
- Infineon
3 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
7 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
244,80 zł
(bez VAT)
301,10 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 1 | 244,80 zł |
| 2 - 4 | 232,61 zł |
| 5 - 9 | 222,80 zł |
| 10 - 24 | 212,99 zł |
| 25 + | 200,75 zł |
- Nr art. RS:
- 838-6992
- Nr części producenta:
- FP35R12W2T4B11BOMA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Moduły IGBT, Infineon
Oferta modułów Infineon firmy IGBT zapewnia niską utratę przełączania przy przełączaniu do 60 kHz.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.
W skład zestawu wchodzą: Moduły 62 mm, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 54 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 215 W |
| Konfiguracja | Mostek 3 fazowy |
| Typ opakowania | EASY2B |
| Typ montażu | Montaż na płytce drukowanej |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 35 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | 3-fazy |
| Wymiary | 56.7 x 48 x 12mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |