Moduł tyrystorowy 160A 1600V Vishay Tranzystor IGBT 5.1kA INT-A-PAK
- Nr art. RS:
- 165-2784
- Nr części producenta:
- VS-VSKT162/16PBF
- Producent:
- Vishay
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 29.08.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (na tacce 15)
331,25 zł
(bez VAT)
407,43 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tray* |
| 15 + | 331,25 zł | 4 968,68 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 165-2784
- Nr części producenta:
- VS-VSKT162/16PBF
- Producent:
- Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tyrystor/tyrystor VS-VSKT, moduły INT-A-PAK, Vishay Semiconductor
Dwie konfiguracje tyrystorów (SCR)
3500V RMS odłączające napięcie od metalowej podstawy
Standardowy pakiet przemysłowy INT-A-PAK
Wysoka odporność na przepięcia
3500V RMS odłączające napięcie od metalowej podstawy
Standardowy pakiet przemysłowy INT-A-PAK
Wysoka odporność na przepięcia
Zatwierdzenia
Plik zatwierdzony przez UL E78996
.
Tyrystory - Vishay Semiconductor
Tyrystor jest półprzewodnikowym urządzeniem półprzewodnikowym z czterema warstwami materiału zmiennego typu N i P. Działają one jak przełączniki bistabilne, prowadząc je, gdy ich brama otrzymuje sygnał wyzwalający i kontynuując swoje postępowanie podczas przesuwania się do przodu. Tyrystory są synonimem prostokątnego prostownika Silicon-Sterowana (SCR).
Obudowane moduły z elektrycznie izolowaną płytą podstawową. Odpowiednie do zastosowania w takich instalacjach jak prostowniki, spawarki i sprzęt galwaniczny, zasilacze regulowane oraz obwody sterowania temperaturą i prędkością.
Obudowane moduły z elektrycznie izolowaną płytą podstawową. Odpowiednie do zastosowania w takich instalacjach jak prostowniki, spawarki i sprzęt galwaniczny, zasilacze regulowane oraz obwody sterowania temperaturą i prędkością.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Średni prąd znamionowy w stanie włączenia | 160A |
| Typ tyrystora | Tranzystor IGBT |
| Typ opakowania | INT-A-PAK |
| Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne | 1600V |
| Znamionowy prąd udarowy | 5.1kA |
| Typ montażu | Montaż na panelu |
| Maksymalny prąd wyzwalania bramki | 270mA |
| Maksymalne napięcie wyzwalania bramki | 4V |
| Maksymalny prąd trzymania | 200mA |
| Liczba styków | 7 |
| Wymiary | 94 x 35 x 30mm |
| Powtarzalny szczytowy prąd w stanie wyłączenia | 50mA |
| Maksymalna temperatura robocza | +125°C |
| Szczytowe napięcie w stanie włączenia | 1.54V |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |
| Powtarzalne szczytowe napięcie zaporowe przewodzenia | 1600V |