MOSFET P-kanałowy 120 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD Pojedynczy 136 W 5,2 milioma
- Nr art. RS:
- 124-8751
- Nr części producenta:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 24.04.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (1000 na rolce)
9,05 zł
(bez VAT)
11,14 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 1000 + | 9,05 zł | 9 054,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-8751
- Nr części producenta:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Zwolniony
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Infineon tranzystory zasilające MOSFET z kanałem zasilania OptiMOS™P
Infineon OptiMOS ™ P-Channel tranzystory zasilające MOSF Funkcje te obejmują bardzo niską utratę przełączania, odporność na zmiany stanu, oceny w firmie Lawianche oraz zastosowanie automatycznej kontroli prześwietlenia (AEC) dla rozwiązań samochodowych. Zastosowania obejmują DC-dc, sterowanie silnikami, motoryzację i eMobility.
Tryb rozszerzenia
Tryb lawinowy
Niskie straty mocy przełączania i przewodnictwa
Bezołowiowe platerowanie; zgodne z dyrektywą RoHS
Opakowania standardowe
Seria P-Channel OptiMOS™: Zakres temperatur od -55°C do +175°C.
Tryb lawinowy
Niskie straty mocy przełączania i przewodnictwa
Bezołowiowe platerowanie; zgodne z dyrektywą RoHS
Opakowania standardowe
Seria P-Channel OptiMOS™: Zakres temperatur od -55°C do +175°C.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 120 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 5,2 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.2V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.2V |
| Maksymalna strata mocy | 136 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -16 V, +16 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 180 nC przy 10 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 10mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 9.25mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 4.4mm |
| Seria | OptiMOS P |