MOSFET N-kanałowy 3,5 A TO-220SIS 600 V Pojedynczy 35 W przy 25°C 2.2 Ω
- Nr art. RS:
- 144-5232
- Nr części producenta:
- TK4A60DA(STA4,Q,M)
- Producent:
- Toshiba
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 144-5232
- Nr części producenta:
- TK4A60DA(STA4,Q,M)
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3,5 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | TO-220SIS |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 2.2 Ω |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4.4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2.4V |
| Maksymalna strata mocy | 35 W przy 25°C |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | +30 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 11 nC przy 10 V |
| Długość | 10mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.5mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Wysokość | 15mm |
| Napięcie przewodzenia diody | -1.7V |
- Nr art. RS:
- 144-5232
- Nr części producenta:
- TK4A60DA(STA4,Q,M)
- Producent:
- Toshiba