MOSFET N-kanałowy 7,3 A TO-220 FP 650 V Pojedynczy 32 W 600 miliomów
- Nr art. RS:
- 145-8630
- Nr części producenta:
- SPA07N60C3XKSA1
- Producent:
- Infineon
600 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
3,42 zł
(bez VAT)
4,21 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 + | 3,42 zł | 171,10 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 145-8630
- Nr części producenta:
- SPA07N60C3XKSA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon CoolMOS™ C3 Moc
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 7,3 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 650 V |
| Typ opakowania | TO-220 FP |
| Seria | CoolMOS C3 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 600 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.9V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
| Maksymalna strata mocy | 32 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.85mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 10.65mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 21 nC przy 10 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 9.83mm |
- Nr art. RS:
- 145-8630
- Nr części producenta:
- SPA07N60C3XKSA1
- Producent:
- Infineon