MOSFET N-kanałowy 9,7 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 21,6 milioma
- Nr art. RS:
- 165-5961
- Nr części producenta:
- IRF8313TRPBF
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 17.10.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (4000 na rolce)
1,32 zł
(bez VAT)
1,62 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 4000 + | 1,32 zł | 5 260,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 165-5961
- Nr części producenta:
- IRF8313TRPBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- TH
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o mocy 30 V, Infineon
Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych. I wielkości obudowy, które mogą sprostać niemal każdemu wyzwaniu związanemu z projektem płyty głównej i projektem termicznym. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 9,7 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Seria | HEXFET |
| Typ opakowania | SOIC |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 21,6 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.35V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.35V |
| Maksymalna strata mocy | 2 W |
| Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Szerokość | 4mm |
| Długość | 5mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 6 nC przy 4,5 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Wysokość | 1.5mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 165-5961
- Nr części producenta:
- IRF8313TRPBF
- Producent:
- Infineon