MOSFET N-kanałowy 6,1 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1,6 W 39 miliomów
- Nr art. RS:
- 166-3629
- Nr części producenta:
- FDC855N
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 19.06.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (3000 na rolce)
0,89 zł
(bez VAT)
1,10 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 3000 + | 0,89 zł | 2 679,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 166-3629
- Nr części producenta:
- FDC855N
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
PowerTrench® N-Channel MOSFET, do 9.9A, Fairchild Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 6,1 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Seria | PowerTrench |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 6 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 39 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 1,6 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 9,2 nC przy 10 V |
| Szerokość | 1.7mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 3mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Wysokość | 1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |