MOSFET N-kanałowy 13.6 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 2.5 W 9 mΩ

Nr art. RS:: 650-4069
Nr części producenta:: IRF7821PBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 13.6 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 2.5 W 9 mΩ

Zobacz kategorię

Produkt wycofany

Nr art. RS:: 650-4069
Nr części producenta:: IRF7821PBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

MOSFET o mocy 30 V, Infineon

Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych. I wielkości obudowy, które mogą sprostać niemal każdemu wyzwaniu związanemu z projektem płyty głównej i projektem termicznym. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	13.6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Typ opakowania	SOIC
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło	9 mΩ
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	1V
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	2.5 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Maksymalna temperatura robocza	+155 °C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	9,3 nC przy 4,5 V
Liczba elementów na układ	1
Długość	5mm
Szerokość	4mm
Materiał tranzystora	Si
Seria	HEXFET
Wysokość	1.5mm
Minimalna temperatura robocza	-55 °C

Nr art. RS:: 650-4069
Nr części producenta:: IRF7821PBF
Producent:: Infineon