MOSFET P-kanałowy 11 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD Pojedynczy 3 W 500 miliomów
- Nr art. RS:
- 650-4211
- Nr części producenta:
- IRF9640SPBF
- Producent:
- Vishay
20 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
30 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
9,72 zł
(bez VAT)
11,96 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 20 | 9,72 zł | 48,60 zł |
| 25 - 45 | 8,75 zł | 43,74 zł |
| 50 - 120 | 8,26 zł | 41,31 zł |
| 125 - 245 | 7,78 zł | 38,88 zł |
| 250 + | 7,20 zł | 36,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 650-4211
- Nr części producenta:
- IRF9640SPBF
- Producent:
- Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
P-Channel MOSFET, od 100V do 400V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 11 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 500 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 3 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 9.65mm |
| Długość | 10.41mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 44 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 4.83mm |
- Nr art. RS:
- 650-4211
- Nr części producenta:
- IRF9640SPBF
- Producent:
- Vishay