MOSFET P-kanałowy 4,3 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 1,3 W 95 miliomów

Nr art. RS:: 760-4438
Nr części producenta:: IRLML2244TRPBF
Producent:: Infineon

MOSFET P-kanałowy 4,3 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 1,3 W 95 miliomów

60 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

660 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (opak. á 5)

1,63 zł

(bez VAT)

2,00 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
5 - 45	1,63 zł	8,15 zł
50 - 245	1,39 zł	6,93 zł
250 - 495	1,05 zł	5,27 zł
500 - 1245	0,90 zł	4,50 zł
1250 +	0,73 zł	3,65 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 760-4438
Nr części producenta:: IRLML2244TRPBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET o napięciu od 12 V do 20 V, Infineon

Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

-20V Single P-Channel StrongIRFETTM Power MOSFET w pakiecie SOT-23

Rodzina MOSFET mocy StrongIRFETTM jest zoptymalizowana pod kątem niskiego R_DS(on) oraz wysoką wydajność prądu. Urządzenia są idealne do zastosowań o niskiej częstotliwości wymagających wydajności i wytrzymałości. Kompleksowe portfolio obejmuje szeroką gamę zastosowań, w tym silniki DC, systemy zarządzania akumulatorami, falowniki i przetwornice DC-DC.

Podsumowanie funkcji

Standardowa obudowa zasilacza do montażu powierzchniowego

Kwalifikacja produktu zgodnie z normą JEDEC

Krzem zoptymalizowany do zastosowań przełączanych poniżej <100 kHz

Miększa dioda korpusu w porównaniu z poprzednią generacją krzemu

Korzyści

Standardowe wyprowadzenie styków umożliwia wymianę w uchylonym miejscu

Standardowy poziom kwalifikacji branżowych

Wysoka wydajność w zastosowaniach o niskiej częstotliwości

Zwiększona gęstość mocy

Potencjalne zastosowania

Zabezpieczenie baterii

SMPS

Przełącznik DC

Przełącznik obciążenia

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	P
Maksymalny ciągły prąd drenu	4,3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	20 V
Seria	HEXFET
Typ opakowania	SOT-23
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	95 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	1.1V
Minimalne napięcie progowe VGS	0.4V
Maksymalna strata mocy	1,3 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-12 V, +12 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	6,9 nC przy 4,5 V
Materiał tranzystora	Si
Szerokość	1.4mm
Długość	3.04mm
Liczba elementów na układ	1
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	1.02mm

Nr art. RS:: 760-4438
Nr części producenta:: IRLML2244TRPBF
Producent:: Infineon