MOSFET N-kanałowy 8 A TSOP 20 V SMD Pojedynczy 2,7 W 3 Ω
- Nr art. RS:
- 787-9226
- Nr części producenta:
- SI3442CDV-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 787-9226
- Nr części producenta:
- SI3442CDV-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, 8 V do 25 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 8 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 20 V |
| Typ opakowania | TSOP |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 6 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 3 Ω |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 0.6V |
| Maksymalna strata mocy | 2,7 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -12 V, +12 V |
| Szerokość | 1.7mm |
| Długość | 3.1mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 9,2 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 787-9226
- Nr części producenta:
- SI3442CDV-T1-GE3
- Producent:
- Vishay