MOSFET P-kanałowy 90 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 125 W 6,6 milioma
- Nr art. RS:
- 827-5230
- Nr części producenta:
- IPD90P04P4L04ATMA1
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 22.08.2024, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 20)
9,08 zł
(bez VAT)
11,16 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 20 - 20 | 9,08 zł | 181,50 zł |
| 40 - 80 | 8,62 zł | 172,40 zł |
| 100 - 180 | 8,26 zł | 165,16 zł |
| 200 - 480 | 7,90 zł | 157,92 zł |
| 500 + | 7,35 zł | 147,02 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 827-5230
- Nr części producenta:
- IPD90P04P4L04ATMA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Zwolniony
Szczegółowe dane produktu
Infineon tranzystory zasilające MOSFET z kanałem zasilania OptiMOS™P
Infineon OptiMOS ™ P-Channel tranzystory zasilające MOSF Funkcje te obejmują bardzo niską utratę przełączania, odporność na zmiany stanu, oceny w firmie Lawianche oraz zastosowanie automatycznej kontroli prześwietlenia (AEC) dla rozwiązań samochodowych. Zastosowania obejmują DC-dc, sterowanie silnikami, motoryzację i eMobility.
Tryb rozszerzenia
Tryb lawinowy
Niskie straty mocy przełączania i przewodnictwa
Bezołowiowe platerowanie; zgodne z dyrektywą RoHS
Opakowania standardowe
Seria P-Channel OptiMOS™: Zakres temperatur od -55°C do +175°C.
Tryb lawinowy
Niskie straty mocy przełączania i przewodnictwa
Bezołowiowe platerowanie; zgodne z dyrektywą RoHS
Opakowania standardowe
Seria P-Channel OptiMOS™: Zakres temperatur od -55°C do +175°C.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 90 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Seria | OptiMOS P |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 6,6 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.2V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.2V |
| Maksymalna strata mocy | 125 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -16 V, +16 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 135 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 6.22mm |
| Długość | 6.73mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Wysokość | 2.41mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 827-5230
- Nr części producenta:
- IPD90P04P4L04ATMA1
- Producent:
- Infineon