MOSFET P-kanałowy 3,5 A SOIC 20 V SMD Pojedynczy 2,5 W 220 mΩ
- Nr art. RS:
- 864-8726
- Nr części producenta:
- FDS9431A_F085
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 864-8726
- Nr części producenta:
- FDS9431A_F085
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET - samochodowy P-Channel, półprzewodnikowy Fairchild Semiconductor
Firma Fairchild Semiconductor dostarcza rozwiązania, które rozwiązują złożone wyzwania na rynku motoryzacyjnym. Dzięki szczegółowej analizie standardów jakości, bezpieczeństwa i niezawodności.
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3,5 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 20 V |
| Typ opakowania | SOIC |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 220 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 0.4V |
| Maksymalna strata mocy | 2,5 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -8 V, +8 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Szerokość | 3.9mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 4.9mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 6 nC przy 4,5 V |
| Wysokość | 1.575mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 864-8726
- Nr części producenta:
- FDS9431A_F085
- Producent:
- Fairchild Semiconductor