MOSFET P-kanałowy 80 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD Pojedynczy 340 W 23 miliomy
- Nr art. RS:
- 911-0711
- Nr części producenta:
- SPB80P06PGATMA1
- Producent:
- Infineon
1000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (1000 na rolce)
9,76 zł
(bez VAT)
12,00 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 1000 + | 9,76 zł | 9 759,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 911-0711
- Nr części producenta:
- SPB80P06PGATMA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® - małe, cyfrowe tranzystory MOSFET z sygnałem P - mają kilka funkcji, które mogą obejmować tryb poprawy, prąd ciągłego spustu o wartości około -80A oraz szeroki zakres temperatur pracy. Tranzystor mocy SIPMOS może być używany w różnych zastosowaniach, w tym w telekomunikacji, eMobility, notebookach, urządzeniach DC/DC, a także w przemyśle motoryzacyjnym.
· Zakwalifikowana opcja AEC Q101 (więcej informacji znajduje się w arkuszu danych)
· bezołowiowe platerowanie, zgodne z dyrektywą RoHS
· bezołowiowe platerowanie, zgodne z dyrektywą RoHS
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 80 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Seria | SIPMOS |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 23 miliomy |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
| Maksymalna strata mocy | 340 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 9.45mm |
| Długość | 10.31mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 115 nC przy 10 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 4.57mm |
- Nr art. RS:
- 911-0711
- Nr części producenta:
- SPB80P06PGATMA1
- Producent:
- Infineon