MOSFET P-kanałowy 8,83 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 42 W 300 mΩ

Nr art. RS:: 911-0727
Nr części producenta:: SPD08P06PGBTMA1
Producent:: Infineon

MOSFET P-kanałowy 8,83 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 42 W 300 mΩ

Zobacz kategorię

Produkt wycofany

Produkt alternatywny

Ten produkt jest aktualnie niedostępny. Zapoznaj się z poniższym produktem alternatywnym.

MOSFET P-kanałowy 8,8 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 42 W 300 miliomów

Nr art. RS: 462-3247

Cena netto za szt. (opak. á 10)

3,17 zł

(bez VAT)

3,90 zł

(z VAT)

Nr art. RS:: 911-0727
Nr części producenta:: SPD08P06PGBTMA1
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: SG

Szczegółowe dane produktu

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS^® - małe, cyfrowe tranzystory MOSFET z sygnałem P - mają kilka funkcji, które mogą obejmować tryb poprawy, prąd ciągłego spustu o wartości około -80A oraz szeroki zakres temperatur pracy. Tranzystor mocy SIPMOS może być używany w różnych zastosowaniach, w tym w telekomunikacji, eMobility, notebookach, urządzeniach DC/DC, a także w przemyśle motoryzacyjnym.

· Zakwalifikowana opcja AEC Q101 (więcej informacji znajduje się w arkuszu danych)
· bezołowiowe platerowanie, zgodne z dyrektywą RoHS

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	P
Maksymalny ciągły prąd drenu	8,83 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	60 V
Typ opakowania	DPAK (TO-252)
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	300 mΩ
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2.1V
Maksymalna strata mocy	42 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Szerokość	6.22mm
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	10 nC przy 10 V
Długość	6.73mm
Liczba elementów na układ	1
Seria	SIPMOS
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	2.41mm

Nr art. RS:: 911-0727
Nr części producenta:: SPD08P06PGBTMA1
Producent:: Infineon