Pamięć flash 4GBit 63-pinowy VFBGA, równoległa Montaż powierzchniowy 25μs

Gęstość: 4 Gb (rozwiązanie z pojedynczym układem)
VCC: 2,7 V do 3,6 V.
Szerokość szyny: X8
Temperatura pracy
Przemysłowe: -40°C do 85°C
Technologia jednopoziomowa (SLC).
Organizacja
Gęstość: 4G-bit/512M-bajt
Rozmiar strony
2,112 bajtów (2048 + 64 bajty)
Rozmiar bloku
64 strony (128 KB + 4 000 bajtów)
Najwyższa wydajność
Wydajność odczytu (maks.)
Odczyt losowy: 25us
Cykl odczytu sekwencyjnego: 25 ns
Wykonanie operacji kasowania zapisu
Czas programowania strony: 250 us (typ.)
Czas kasowania bloków: 2 ms (typ.)
Kasowanie trwałe 100 000/Cykle programowe(1)
10 lat przechowywania danych
Zestaw poleceń
Standardowy zestaw poleceń NAND
Dodatkowa obsługa poleceń
Pamięć podręczna odczytu sekwencyjnego
Losowy odczyt pamięci podręcznej
Program pamięci podręcznej
Kopiuj wstecz
Praca w dwóch płaszczyznach
Skontaktuj się z Winbond w celu uzyskania informacji o funkcji haseł jednorazowych
Skontaktuj się z Winbond w celu uzyskania informacji o funkcji Blokowania Blokowania
Najniższe zużycie energii
Odczyt: 25 mA (typowo)
Programowanie/kasowanie: 25 mA(standard)
CMOS standby: 10uA(standard)
Opakowanie energooszczędne
48-pinowy standard TSOP1
63-kulkowy VFBGA

Pamięć flash SLC NAND 4 Gb o ujednoliconym rozmiarze strony 2 KB + 64 B.

Szerokość szyny: X8
Odczyt losowy: 25 USD
Czas trwania programu stron: 250us(typ.)
Czas kasowania blokady: 2 ms(standard)
Obsługa obszaru pamięci OTP