Infineon FRAM 4 kB FM25040B-G SPI 8-pinowy SOIC

Zobacz wszystkie Pamięć FRAM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa 15 sztuk/i (dostarczane w tubie)*

102,21 zł

(bez VAT)

125,715 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 10 szt. dostępne od 09 marca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
15 - 256,814 zł
30 - 956,598 zł
100 - 4956,256 zł
500 +5,832 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
125-4218P
Nr części producenta:
FM25040B-G
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

4kB

Typ produktu

FRAM

Organizacja

512 x 8 bit

Typ złącza

SPI

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

20ns

Typ montażu

Powierzchnia

Maksymalna częstotliwość zegara

20MHz

Typ obudowy

SOIC

Liczba styków

8

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

4.97mm

Wysokość

1.38mm

Szerokość

3.98 mm

Maksymalna temperatura robocza

85°C

Liczba słów

512

Liczba bitów w słowie

8

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Minimalne napięcie zasilania

4.5V

Maksymalne napięcie zasilania

5.5V

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

FRAM, Cypress Semiconductor


Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.

Nieulotna pamięć RAM

Duża szybkość zapisu

Wysoka wytrzymałość

Niski pobór mocy

Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)


Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.

Powiązane linki