- Nr art. RS:
- 125-4213
- Nr części producenta:
- FM24CL64B-G
- Producent:
- Infineon
20 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
16 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
14,18 zł
(bez VAT)
17,44 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
2 - 8 | 14,18 zł | 28,35 zł |
10 - 38 | 10,69 zł | 21,38 zł |
40 - 98 | 10,17 zł | 20,34 zł |
100 + | 9,52 zł | 19,04 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 125-4213
- Nr części producenta:
- FM24CL64B-G
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
FRAM, Cypress Semiconductor
Pamięć o swobodnym dostępie ferroelektrycznym (F-RAM) jest energooszczędna i charakteryzuje się najwyższą niezawodnością nieulotnych modułów pamięci RAM dla interfejsów szeregowych i równoległych. Części z przyrostkiem A są przeznaczone do zastosowań w motoryzacji i posiadają kwalifikacje AEC-Q100.
Nieulotna pamięć RAM
Duża szybkość zapisu
Wysoka wytrzymałość
Niski pobór mocy
Duża szybkość zapisu
Wysoka wytrzymałość
Niski pobór mocy
64-kilobitowa ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym (F-RAM), logicznie zorganizowana w 8K x 8
100 bilionów (1014) odczytu/zapisu
Przechowywanie danych przez 151 lata
Funkcja NOpóźnienie™ zapisuje
Advanced o wysokiej niezawodności proces ferroelektryczny
Szybki 2-przewodowy interfejs szeregowy (I2C)
Częstotliwość do 1 MHz.
Bezpośrednia wymiana sprzętu dla szeregowej (I2C) EEPROM
Obsługa starszych czasów dla częstotliwości 100 kHz i 400 kHz
Niski pobór mocy
100 μA (standard) prądu aktywnego przy 100 kHz
3 μA (standard) prądu w trybie gotowości
Działanie napięcia: VDD = 2,7 V do 3,65 V.
Temperatura przemysłowa: -40 °C do +85 °C.
Opakowania
Pakiet 8-stykowego układu scalonego o małej konturze (SOIC)
Pakiet 8-stykowych cienkich, podwójnych przewodów bez odprowadzeń (DFN)
100 bilionów (1014) odczytu/zapisu
Przechowywanie danych przez 151 lata
Funkcja NOpóźnienie™ zapisuje
Advanced o wysokiej niezawodności proces ferroelektryczny
Szybki 2-przewodowy interfejs szeregowy (I2C)
Częstotliwość do 1 MHz.
Bezpośrednia wymiana sprzętu dla szeregowej (I2C) EEPROM
Obsługa starszych czasów dla częstotliwości 100 kHz i 400 kHz
Niski pobór mocy
100 μA (standard) prądu aktywnego przy 100 kHz
3 μA (standard) prądu w trybie gotowości
Działanie napięcia: VDD = 2,7 V do 3,65 V.
Temperatura przemysłowa: -40 °C do +85 °C.
Opakowania
Pakiet 8-stykowego układu scalonego o małej konturze (SOIC)
Pakiet 8-stykowych cienkich, podwójnych przewodów bez odprowadzeń (DFN)
.
Ram (ferroelektryczna pamięć RAM)
Framm (ferroelec Random Access Memory) to pamięć nieulotna, w której do przechowywania danych wykorzystywana jest folia ferroelektryczna. Pamięć F-RAM, posiadająca właściwości pamięci ROM i RAM, charakteryzuje się szybkim dostępem, dużą wytrzymałością w trybie zapisu, niskim zużyciem energii, niezmiennością i znakomitą odpornością na sabotaż. Dlatego jest to idealna pamięć do stosowania na kartach inteligentnych, które wymagają wysokiego poziomu bezpieczeństwa i niskiego zużycia energii, jak również na telefonach komórkowych i innych urządzeniach.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Rozmiar pamięci | 64kbit |
Organizacja | 8 K x 8 bitów |
Typ złącza | Szeregowy-2 przewody, szeregowy-I2C |
Szerokość magistrali danych | 8bit |
Maksymalny czas dostępu swobodnego | 550ns |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Typ opakowania | SOIC |
Liczba styków | 8 |
Wymiary | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Długość | 4.97mm |
Szerokość | 3.98mm |
Maksymalne robocze napięcie zasilania | 3,65 V |
Wysokość | 1.48mm |
Maksymalna temperatura robocza | +85°C |
Minimalna temperatura robocza | -40°C |
Norma motoryzacyjna | AEC-Q100 |
Liczba słów | 8K |
Liczba bitów w słowie | 8bit |
Minimalne robocze napięcie zasilania | 2,7 V |