- Nr art. RS:
- 806-1753
- Nr części producenta:
- J111
- Producent:
- onsemi
800 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
1000 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Cena netto za szt. (opak. á 50)
0,27 zł
(bez VAT)
0,34 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
50 + | 0,27 zł | 13,70 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 806-1753
- Nr części producenta:
- J111
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
Na ON Semiconductor J111 jest JFET tranzystor rozdrabniacza przeznaczony dla połączeń analogowych i rozdrabniacz. Źródła i spustu są zamienne.
J111 tranzystor umieszczony jest w szafie do-92 3-pinowa do montażu przewlekanego - opakowania.
J111 tranzystor umieszczony jest w szafie do-92 3-pinowa do montażu przewlekanego - opakowania.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | min. 20mA |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -35 V |
Maksymalne napięcie dren-bramka | 35V |
Konfiguracja | Pojedyncza |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 30 omów |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ opakowania | TO-92 |
Liczba styków | 3 |
Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia | 28pF |
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia | 28pF |
Wymiary | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Wysokość | 5.33mm |
Długość | 5.2mm |
Szerokość | 4.19mm |