- Nr art. RS:
- 186-8010
- Nr części producenta:
- BUB323ZT4G
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 02.08.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za opak. z 5 szt.
61,88 zł
(bez VAT)
76,11 zł
(z VAT)
Opakowanie (-a) | Za opakowanie | Per unit* |
1 - 1 | 61,88 zł | 12,38 zł |
2 - 19 | 52,79 zł | 10,56 zł |
20 - 49 | 40,86 zł | 8,17 zł |
50 - 99 | 39,83 zł | 7,97 zł |
100 + | 34,88 zł | 6,98 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 186-8010
- Nr części producenta:
- BUB323ZT4G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
BUB323Z to płaski, monolityczny, wysokonapięciowy tranzystor bipolarny mocy Darlington z wbudowanym aktywnym układem zamykania Zenera. Urządzenie to jest przeznaczone specjalnie do zastosowań indukcyjnych, takich jak elektroniczne układy zapłonowe, przełączniki i sterowanie silnikami.
Zintegrowany aktywny zacisk wysokiego napięcia
Dokładne okno napięcia ładowania (350 V do 450 V)Gwarantowane w zakresie temperatury od -40°C do +125°C.
Wydajność energetyczna 100% przetestowana w obwodzie z zapłonem iskrowym
Wysokie wzmocnienie prądu stałego/niskie napięcia saturacji, poza pełnym zakresem temperatur
Gwarancja na projekt: Działanie w architekturze SOA przez cały czas
Dostępne są obudowy bez zawartości ołowiu
Dokładne okno napięcia ładowania (350 V do 450 V)Gwarantowane w zakresie temperatury od -40°C do +125°C.
Wydajność energetyczna 100% przetestowana w obwodzie z zapłonem iskrowym
Wysokie wzmocnienie prądu stałego/niskie napięcia saturacji, poza pełnym zakresem temperatur
Gwarancja na projekt: Działanie w architekturze SOA przez cały czas
Dostępne są obudowy bez zawartości ołowiu
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ tranzystora | NPN |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 6 V |
Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Maksymalna strata mocy | 150 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Liczba styków | 2 + Tab |
Liczba elementów na układ | 1 |
Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
Wymiary | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |