Tranzystor NPN 450 V 8 A 1 MHz HFE 10 TO-220AB MJE18008G 3-Pin

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

High Voltage Transistors, ON Semiconductor

Normy

Manufacturer Part Nos with S prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Bipolar Transistors, ON Semiconductor

A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Small-Signal Transistors
Power Transistors
Dual Transistors
Darlington Pairs
High-Voltage Transistors
RF Transistors
Bipolar/FET Transistors

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ tranzystora NPN
Maksymalny prąd DC kolektora 8 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 450 V
Typ opakowania TO-220AB
Typ montażu Otwór przezierny
Maksymalna strata mocy 125 W
Minimalne wzmocnienie prądu DC 10
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie kolektor-baza 10 V DC
Maksymalne napięcie emiter-baza 9 V
Maksymalna częstotliwość robocza 1 MHz
Liczba styków 3
Liczba elementów na układ 1
Wymiary 10.28 x 4.82 x 15.75mm
Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter 0,8 V DC
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Długość 10.28mm
Szerokość 4.82mm
Minimalna temperatura robocza -65°C
Wysokość 15.75mm
Maksymalne napięcie nasycenia baza-emiter 1,25 V DC
700 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (w tubie á 50)
4,52
(bez VAT)
5,57
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
50 +
4,52 zł
226,20 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa