Transistor, Fairchild, FJP13009TU

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: MY
Szczegółowe dane produktu

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ tranzystora NPN
Maksymalny prąd DC kolektora 12 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 400 V
Typ opakowania TO-220
Typ montażu Otwór przezierny
Maksymalna strata mocy 100 W
Minimalne wzmocnienie prądu DC 6
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie kolektor-baza 700 V
Maksymalne napięcie emiter-baza 9 V
Maksymalna częstotliwość robocza 4 MHz
Liczba styków 3
Liczba elementów na układ 1
Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter 3 V
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Wysokość 16.51mm
Maksymalne napięcie nasycenia baza-emiter 1,6 V
Szerokość 4.83mm
Długość 10.67mm
Wymiary 10.67 x 4.83 x 16.51mm
200 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (w tubie á 50)
2,88
(bez VAT)
3,54
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
50 +
2,88 zł
143,80 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa