Tranzystor NPN 50 V 2 A 100 MHz HFE 150 UPAK PBSS4250X,115 4-Pin

  • Nr art. RS 518-1609
  • Nr części producenta PBSS4250X,115
  • Producent Nexperia
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ tranzystora NPN
Maksymalny prąd DC kolektora 2 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 50 V
Typ opakowania UPAK
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Maksymalna strata mocy 1 W
Minimalne wzmocnienie prądu DC 150
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie kolektor-baza 50 V
Maksymalne napięcie emiter-baza 5 V
Maksymalna częstotliwość robocza 100 MHz
Liczba styków 4
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 2.6mm
Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter 0.38 V
Wymiary 1.6 x 4.6 x 2.6mm
Długość 4.6mm
Minimalna temperatura robocza -65 °C
Maksymalne napięcie nasycenia baza-emiter 1.1 V
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Wysokość 1.6mm
270 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 10)
1,00
(bez VAT)
1,23
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
10 - 10
1,00 zł
9,98 zł
20 - 40
0,81 zł
8,07 zł
50 - 90
0,76 zł
7,63 zł
100 - 190
0,72 zł
7,23 zł
200 +
0,69 zł
6,88 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: