IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 187 W
- Nr art. RS:
- 110-7756
- Nr części producenta:
- IKW30N60H3FKSA1
- Producent:
- Infineon
Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 4)
13,68 zł
(bez VAT)
16,83 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 4 - 16 | 13,68 zł | 54,72 zł |
| 20 - 96 | 10,50 zł | 41,99 zł |
| 100 - 196 | 9,08 zł | 36,32 zł |
| 200 - 496 | 8,56 zł | 34,25 zł |
| 500 + | 8,42 zł | 33,66 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 110-7756
- Nr części producenta:
- IKW30N60H3FKSA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V.
Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obejmuje urządzenia ze zintegrowaną diodą antyrównoległą o dużej prędkości i szybkim odzyskiwaniu.
• Zakres napięć kolektora-emitera od 600 do 650V.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 60 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 187 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Energia znamionowa | 1.72mJ |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |
| Pojemność bramki | 1630pF |
- Nr art. RS:
- 110-7756
- Nr części producenta:
- IKW30N60H3FKSA1
- Producent:
- Infineon