IGBT Ic 75 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N
- Nr art. RS:
- 124-1304
- Nr części producenta:
- HGTG30N60A4
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
29,28 zł
(bez VAT)
36,01 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 30 - 120 | 29,28 zł | 878,31 zł |
| 150 - 270 | 26,09 zł | 782,58 zł |
| 300 + | 25,41 zł | 762,39 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-1304
- Nr części producenta:
- HGTG30N60A4
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 75 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 124-1304
- Nr części producenta:
- HGTG30N60A4
- Producent:
- onsemi