IGBT FGH60N60SMD, Ic 120 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247AB, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Maksymalny ciągły prąd kolektora 120 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V
Maksymalna strata mocy 600 W
Typ opakowania TO-247AB
Typ montażu Otwór przezierny
Typ kanału N
Liczba styków 3
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Długość 15.6mm
Szerokość 4.7mm
Wysokość 20.6mm
Wymiary 15.6 x 4.7 x 20.6mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Maksymalna temperatura robocza +175°C
660 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (w tubie á 30)
14,90
(bez VAT)
18,32
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
30 - 120
14,90 zł
446,88 zł
150 - 270
13,65 zł
409,62 zł
300 +
12,60 zł
378,12 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa