IGBT FGH60N60SMD, Ic 120 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247AB, kanał typu N, ON Semiconductor Pojedynczy

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

Dyskretne Fairchild Semiconductor

Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor

Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Maksymalny ciągły prąd kolektora 120 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V
Maksymalna strata mocy 600 W
Typ opakowania TO-247AB
Typ montażu Otwór przezierny
Typ kanału N
Liczba styków 3
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Długość 15.6mm
Szerokość 4.7mm
Wysokość 20.6mm
Wymiary 15.6 x 4.7 x 20.6mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Maksymalna temperatura robocza +175°C
270 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (w tubie á 30)
14,22
(bez VAT)
17,48
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
30 - 120
14,22 zł
426,45 zł
150 - 270
12,28 zł
368,43 zł
300 +
11,69 zł
350,58 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa