IGBT Ic 120 A Uce 600 V TO-247AB Pojedynczy kanał: N 600 W
- Nr art. RS:
- 124-1320
- Nr części producenta:
- FGH60N60SMD
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 05.03.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
21,09 zł
(bez VAT)
25,94 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 30 - 30 | 21,09 zł | 632,67 zł |
| 60 - 120 | 20,25 zł | 607,38 zł |
| 150 + | 19,61 zł | 588,42 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-1320
- Nr części producenta:
- FGH60N60SMD
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 120 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 600 W |
| Typ opakowania | TO-247AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
- Nr art. RS:
- 124-1320
- Nr części producenta:
- FGH60N60SMD
- Producent:
- onsemi