IGBT Ic 64 A Uce 1200 V TO-264 Pojedynczy kanał: N
- Nr art. RS:
- 124-1767
- Nr części producenta:
- FGL40N120ANDTU
- Producent:
- onsemi
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 124-1767
- Nr części producenta:
- FGL40N120ANDTU
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor - tranzystory IGBT
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 64 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±25V |
| Typ opakowania | TO-264 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 20 x 5 x 26mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
- Nr art. RS:
- 124-1767
- Nr części producenta:
- FGL40N120ANDTU
- Producent:
- onsemi