IGBT Ic 35 A Uce 600 V TO-220FL Pojedynczy kanał: N 40 W
- Nr art. RS:
- 124-3700
- Nr części producenta:
- RJH60D3DPP-M0#T2
- Producent:
- Renesas Electronics
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
15,76 zł
(bez VAT)
19,38 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 2 | 15,76 zł | 31,52 zł |
| 4 - 8 | 14,21 zł | 28,42 zł |
| 10 - 48 | 12,92 zł | 25,84 zł |
| 50 - 98 | 11,84 zł | 23,67 zł |
| 100 + | 10,92 zł | 21,84 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-3700
- Nr części producenta:
- RJH60D3DPP-M0#T2
- Producent:
- Renesas Electronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
Dyskrety IGBT, Renesas Electronics
.
Dyskretne moduły IGBT i moduły
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 35 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±30V |
| Maksymalna strata mocy | 40 W |
| Typ opakowania | TO-220FL |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 10 x 4.5 x 15mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Pojemność bramki | 900pF |
- Nr art. RS:
- 124-3700
- Nr części producenta:
- RJH60D3DPP-M0#T2
- Producent:
- Renesas Electronics